特點(diǎn)

• 在全球范圍內(nèi)具有****的采用記錄的單晶硅電極避免了由于超低顆粒特性和電極材料而導(dǎo)致金屬污染的風(fēng)險(xiǎn)
• 通過(guò)原始MP（脈沖調(diào)制）方法將離子有效地帶到目標(biāo)的高效靜電消除
• 即使在100 mm距離和離子平衡下也可以使用的小電位擺動(dòng)特性，在棒長(zhǎng)度上幾乎沒(méi)有偏差
• 離子發(fā)生狀態(tài)和離子平衡由智能控制電路自動(dòng)管理
• 可旋轉(zhuǎn)1/4旋轉(zhuǎn)的可更換電極有助于減少維護(hù)工時(shí)
• 由于MP系統(tǒng)的特性，潛在的擺動(dòng)非常小，因此設(shè)置簡(jiǎn)單。此外，小電位擺動(dòng)有效地保持了管理標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的長(zhǎng)期離子平衡
• 設(shè)置與半導(dǎo)體前端EFEM對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)度條
• 緊湊的24 V DC驅(qū)動(dòng)控制器設(shè)計(jì)
• 全球范圍內(nèi)提供上等支持網(wǎng)絡(luò)

規(guī)范

擴(kuò)展的ISO Class 1,10 nm？
對(duì)于擴(kuò)展ISO Class1,10nm？這是為了自己的確定級(jí)別的ION系統(tǒng)的清潔度，以應(yīng)對(duì)微小粒子管理的定義。ISO 14644-1定義為*小粒徑為100nm。擴(kuò)展ISO Class1,10nm并且使用顆粒的計(jì)算公式和ISO14644-1及其允許顆粒的數(shù)目的同一允許數(shù)將是1200pc /立方米（34 PC /立方英尺 ） 至少一個(gè)粒徑10nm的